Туннельный диод

Материал из ВикиЭнерго
Перейти к: навигация, поиск
Обозначение на схемах. Изображение получено с сайта Википедии
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Изображение получено с сайта Википедии

Обычные диоды пропускают ток преимущественно в прямом включении и практически не пропускают при обратном. Это происходит вплоть до точки, называемой «напряжением пробоя», когда обратная проводимость резко восстанавливается. В большинстве случаев это вызывает разрушение диода (кроме диодов специального назначения — стабилитронов). В туннельном диоде степень легирования p и n областей увеличена до такой степени, что напряжение пробоя становится равным нулю, и диод проводит ток в обратном направлении. При этом, во время прямого включения имеет место т. н. «квантово-механическое туннелирование». Этот эффект создаёт на прямом участке вольт-амперной характеристики участок, где увеличение прямого напряжения сопровождается уменьшением силы тока. Эта область «отрицательного дифференциального сопротивления» используется в твердотельной версии динатронного генератора, где обычно применяется электровакуумный тетрод.

Туннельный диод был изготовлен в 1958 году Лео Исаки, который в 1973 году получил Нобелевскую премию по физике за экспериментальное обнаружение эффекта туннелирования электронов в этих диодах.

Наибольшее распространение на практике получили туннельные диоды из Ge, GaAs, а также из GaSb. Эти диоды находят широкое применение в качестве генераторов и высокочастотных переключателей, они работают на частотах, во много раз превышающих частоты работы тетродов, — до 30-100 ГГц.

Ссылки

  • А. И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов. Физматлит, 2008.

Первоначальная версия этой статьи была взята из русской Википедии на условиях лицензии GNU FDL. Авторы: http://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Туннельный_диод&action=history
Личные инструменты
Пространства имён
Варианты
Действия
Навигация
Инструменты